MDC3105DMT1G的技术参数

产品型号:NUD3105DMT1G漏源电压VBR MAX(V):6漏电流IC(mA):500功耗EZ(mj):50封装/温度(°C):SC-74/-40~85描述:集成继电器电感负载驱动器价格/1片(

产品型号:UMZ1NT1G类型:NPN/PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):50集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):200直流电流增益hFE最大值

产品型号:1PMT5.0AT1G雪崩电压VBRmin(V):6.400雪崩电压VBRnom(V):6.700雪崩电压VBRmax(V):7IT(mA):10峰值反向工作电压VRWM(V):5最大反向漏

产品型号:BAW56LT1G最小反向电压VR(V):70最大反向漏电流IR(?A):2.500正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):2反向恢复时

产品型号:NTMFS4708NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):19最大漏极电流Id(on)(A):19通道极性:N封装/温度(°C):SO-8FL/-