RB751S40T1G的技术参数

产品型号:NCS2001SN1T1G工作电压Min.(V):0.9,±0.45工作电压Max.(V):7.0,±3.5带宽GBW(典型值)(MHz):1.400转换速率(典型值)(V/us):1.60

产品型号:NCS2202SN1T1G工作电压Min. (V):0.85,±0.425工作电压Max. (V):6.0,±3.0输入失调电压Max.(mV):8输入失调电流Iio(max)(nA):-输

产品型号:MUN5313DW1T1G类型:PNP/NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):47KR2(Ω):47K芯片上

产品型号:BC856BDW1T1G类型:双PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):65集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):220直流电流增益hFE最大

产品型号:NTR1P02T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):180最大漏极电流Id(on)(A):1通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-23 /-

产品型号:BC846BPDW1T1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):65集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):110直流电流增益hFE最大

产品型号:TLV431ASN1T1G输出电压(V):可调1.24~16工作电流最小值(μA):50工作电压(V):1.24~16容限:±1%温度系数(ppm/°C):-封装/温度(°C):SOT23-

产品型号:NIS5101E1T1G输入电压min(V):18输入电压max(V):110导通电阻典型(mΩ):43平均电流ID Avg(A):6.500热操作:闭锁封装/温度(°C):SPAK 7/-

产品型号:NSR15SDW1T1G反向峰值电压(V):15反向雪崩电压典型值(V):20最大平均正向电流(mA):30最大全周期正向压降1:415mV @ 1.0mA最大全周期正向压降2:680mV

产品型号:BC848CDW1T1G类型:NPN/NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):30集电极最大持续电流IC(Max)(A):0.100直流电流增益hFE最小值(dB):420直流电流增