微波功率器件材料的发展和应用前景
1 概述 有Ge、Si、III-V化合物半导体等材料制成的工作在微波波段的二极管、晶体管称为微波器件。微波即波长介于1m~1mm之间的电磁波,相应频率在300MHz~300GHz之间,表1是常用波段的名称及相应的频率范围。 微波半导体器件在微波系统中能发挥各方面性能,归纳起来,即在微波功率产生及放大,控制、接收三个方面。而微波功率器件要求有尽可能大的输出功率和输出效率及功率增益。 进入20世纪90年代后,由于MOCVD(金属有机化学气相淀积)和MBE(分子束外延)技术的发展,以及化合物材料和异质结工艺的日趋成熟,三端微波器件取得令人瞩目的成就,使得MESFET(肖特基势垒场效应晶体管)、
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