半导体晶圆是从大块半导体材料切割而来的。那些半导体材料,或叫做晶棒,是从大块的具有多晶结构和未掺杂本征材料生长得来的。把多晶块转变成一个大单晶,给予正确的定向和适量的N型或P型掺杂,叫做晶体生长。 使用三种不同的方法来生长单晶:直拉法、液体掩盖直拉法、区溶法。 直拉法(CZ) 大部分的单晶是通过直拉法生长的(图3.7)。设备有一个石英坩埚,由负载高频波的环绕线圈来加热,或由电流加热器来加热。坩埚装载半导体材料多晶块和少量掺杂物。选择掺杂材料来产生N型或P型材料。开始在1415°C把多晶和搀杂物加热到液体状态,接下来籽晶安置到刚接触到液面(叫做熔融物)。籽晶是具有和所需晶体相同晶向的小晶体,籽晶