MM3Z3V3ST1G的技术参数

产品型号:MM3Z3V3ST1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):3.230齐纳击穿电压Vz典型值(V):3.300齐纳击穿电压Vz最大值(V):3.530@Izt(mA):1000齐纳阻抗Zzt(Ω):95最大功率PMax(W):0.200芯片标识:T5封装/温度(°C):SOD323/-65~150价格/1片(套):暂无