LM385BD 2.5R2G的技术参数

产品型号:LM2576D2TR4-3.3G输出电压(V):3.300类型:降压型输入电压最小值(V):6开关电流最大值(A):3开关频率(kHz):52封装/温度(°C):5D2PAK/-40~125

产品型号:LM2576D2TR4-5G输出电压(V):5类型:降压型输入电压最小值(V):8开关电流最大值(A):3开关频率(kHz):52封装/温度(°C):5D2PAK/-40~125描述:3A,

产品型号:LM2576D2T-005G输出电压(V):5类型:降压型输入电压最小值(V):8开关电流最大值(A):3开关频率(kHz):52封装/温度(°C):5D2PAK/-40~125描述:3A,

产品型号:LM2576D2T-012G输出电压(V):12类型:降压型输入电压最小值(V):8开关电流最大值(A):3开关频率(kHz):52封装/温度(°C):5D2PAK/-40~125描述:3A

产品型号:NTTS2P02R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90最大漏极电流Id(on)(A):3.250通道极性:P沟道封装/温度(°C):Micro

产品型号:NTTS2P03R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):135最大漏极电流Id(on)(A):2.480通道极性:P沟道封装/温度(°C):Micr

产品型号:NIS5112D2R2G输入电压min(V):-0.300输入电压max(V):18导通电阻典型(mΩ):23.500平均电流ID Avg(A):5.300热操作:自动重试封装/温度(°C)

产品型号:NTMD2C02R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):43最大漏极电流Id(on)(A):5.200通道极性:N/P沟道封装/温度(°C):SOI

产品型号:NCV4279D2R2G输出电压典型值(V):5输出电流典型值(A):0.150极性:正压差典型值(V):0.25/0.1A输入电压最大值(V):16封装/温度(°C):SOIC-8/-40

产品型号:NCV4269D2R2G输出电压典型值(V):5输出电流典型值(A):0.150极性:正压差典型值(V):0.25@0.1A输入电压最大值(V):45封装/温度(°C):SOIC-14/-4