MMBFJ309LT1G的技术参数

terrywchenw 0 0 PDF 2020-12-13 10:12:10

产品型号:MMBFJ309LT1G零门极电压最小耗尽电流IDSS Min (?A):12000零门极电压最大耗尽电流IDSS Max (?A):30000门极-源极雪崩电压VGSS Min (V):25输入电容CISS Max (pF):5反向最大传递电容CRSS Max (pF):2.500沟道极性:N封装/温度(°C):3SOT23/-55~150价格/1片(套):暂无

推荐下载

BSS84LT1G的技术参数

产品型号:BSS84LT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):50源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5000最大漏极电流Id(on)(A):0.130通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-2

MMBV432LT1G的技术参数

产品型号:MMBV432LT1G最小反向电压VR(V):14最大二极管电容CT@V(Max)( pF):48最大二极管电容CT@VV:2正向电压VF最大值(V):-最大反向漏电流IR (Max)( n

MMBTH104LT1G的技术参数

产品型号:MMBTH10-4LT1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):25集电极最大电流Ic(max)(mA):-直流电流增益hFE最小值(dB):120直流电流增益hFE最大值(

BAS21LT1G的技术参数

产品型号:BAS21LT1G最小反向电压VR(V):250最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):5反向恢复

MMBD2836LT1G的技术参数

产品型号:MMBD2836LT1G最小反向电压VR(V):75最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):4反向

MMBD301LT1G的技术参数

产品型号:MMBD301LT1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):30平均整流器前向电流IO(max)(A):0.010瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.52/0.01A非重复峰值浪

MMBTA05LT1G的技术参数

产品型号:MMBTA05LT1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):60集电极最大电流Ic(max)(mA):500直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(

SBC81725LT1G的技术参数

产品型号:SBC817-25LT1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):50集电极最大电流Ic(max)(mA):500直流电流增益hFE最小值(dB):160直流电流增益hFE最大

BAS16LT1G的技术参数

产品型号:BAS16LT1G最小反向电压VR(V):75最大反向漏电流IR(?A):1正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):2反向恢复时间trr

MMBT2222LT1G的技术参数

产品型号:MMBT2222LT1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):30集电极最大电流Ic(max)(mA):600直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值

用户评论

请输入评论内容

评分：

暂无评论