MC3486DR的技术参数

产品型号:LM358DR通道数:2关断功能:No工作电压Max. (V):32工作电压Min. (V):3每通道IQ(典型值)(mA):0.600带宽GBW(典型值)(MHz):0.700转换速率(典

产品型号:LM2904DR通道数:2关断功能:No工作电压Max. (V):26工作电压Min. (V):3每通道IQ(典型值)(mA):0.600带宽GBW(典型值)(MHz):0.400转换速率(

产品型号:LM324DR通道数:4关断功能:No工作电压Max. (V):32工作电压Min. (V):3每通道IQ(典型值)(mA):0.300带宽GBW(典型值)(MHz):1.200转换速率(典

产品型号:LM224DR通道数:4关断功能:No工作电压Max. (V):32工作电压Min. (V):3每通道IQ(典型值)(mA):0.300带宽GBW(典型值)(MHz):1.200转换速率(典

产品型号:TPA731DR输出功率(W):0.700工作电压Min. (V):2.500工作电压Max.(V):5.500总谐波失真及噪声@1kHz(%):0.150电源抑制比PSRR(dB):85每

产品型号:TPS1100DRFET数:1漏源电压(V):-15持续漏极电流(VGS=-10V)最大值(A):-1.600静态漏源直流电阻 (VGS=-10V)典型值(mΩ):180通道极性:P沟道封装

产品型号:TPS2013DRFET数:1输入电压最小值(V):2.700输入电压最大值(V):5.500限流最小值(A):1.650每个FET的静态漏源直流电阻典型值(mΩ):75静态电流典型值(μA

产品型号:TPS2044DRFET数:4输入电压最小值(V):2.700输入电压最大值(V):5.500限流最小值(A):0.700每个FET的静态漏源直流电阻典型值(mΩ):80静态电流典型值(μA

产品型号:MC13212产品型号:2~3.4工作电压(V):32K FLASH,2K RAM,实用于星型,网状,树状,拓扑结构, 802.15.4 MAC说明:LGA/-40~85°C封装/温度:价格

产品型号:MC13214产品型号:2~3.4工作电压(V):60K FLASH,4K RAM,是一个完整的ZigBee 平台,可开发有认证的ZigBee产品说明:LGA/-40~85°C封装/温度:价