MM5Z11VT1的技术参数

产品型号:MMSZ11T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):10.450齐纳击穿电压Vz典型值(V):11齐纳击穿电压Vz最大值(V):11.550@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):20最大功率

产品型号:1SMA11AT3G峰值反向工作电压VRWM(V):11雪崩电压VBRmin(V):12.200IT(mA):1最大反向电压(钳位电压)Vc(V):18.200最大反向浪涌电流Ipp(A):

产品型号:NSDEMN11XV6T1最小反向电压VR(V):80最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):100mA最大二极管电容CT(pF

产品型号:NSDEMP11XV6T1最小反向电压VR(V):70最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):100mA最大二极管电容CT(pF

产品型号:1SMB11CAT3G峰值反向工作电压VRWM(V):11雪崩电压VBRmin(V):12.200IT(mA):1最大反向电压(钳位电压)Vc(V):18.200最大反向浪涌电流Ipp(A)

产品型号:CS5257A-1GDP5输出电压典型值(V):1.25~5输出电流典型值(A):7极性:正压差典型值(V):0.35@7A输入电压最大值(V):6封装/温度(°C):5D2PAK/0~15

产品型号:CS5257A-1GT5输出电压典型值(V):1.25~5输出电流典型值(A):7极性:正压差典型值(V):0.35@7A输入电压最大值(V):6封装/温度(°C):5TO220/0~150

产品型号:UMC5NT1G类型:NPN/PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):20R1(Ω):47KR2(Ω):-芯片上标识:-封装/

产品型号:MM908E625ACDWB工作电压(V):8~18Flash(字节):16KRAM(字节):512EEPROM(字节):-定时器:4×16bit IC,OC,或PWMI/O:13串行通讯:

产品型号:MM908E624ACDWB工作电压(V):5.5~18Flash(字节):16KRAM(字节):512EEPROM(字节):-定时器:4×16bit IC,OC,或PWMI/O:16串行通