MTP12P10G的技术参数

产品型号:NTR1P02LT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):220最大漏极电流Id(on)(A):1.300通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-

产品型号:NTR1P02T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):180最大漏极电流Id(on)(A):1通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-23 /-

产品型号:P6SMB15CAT3G峰值反向工作电压VRWM(V):12.800雪崩电压VBRMin(V):14.300IT(mA):1最大反向电压(钳位电压)VC(V):21.200最大反向浪涌电流I

产品型号:NTD20P06L-1G源漏极间雪崩电压VBR(V):-60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):150最大漏极电流Id(on)(A):-15.500通道极性:P沟道封装/温度(°C):

产品型号:NTMS5P02R2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):33最大漏极电流Id(on)(A):5.400通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOIC-

产品型号:NSQA12VAW5T2G雪崩电压VBRmin(V):11.400雪崩电压VBRnom(V):12雪崩电压VBRmax(V):12.700IT(mA):5最大反向漏电流IR(nA):50峰值

产品型号:MM3Z12VST1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):11.400齐纳击穿电压Vz典型值(V):12齐纳击穿电压Vz最大值(V):12.700@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):80最大

产品型号:NCP5661MN12T2G输出电压典型值(V):1.200输出电流典型值(A):1极性:正压差典型值(V):1.0@1A输入电压最大值(V):9封装/温度(°C):DFN-6/-40~12

产品型号:NCP585DSN12T1G输出电压典型值(V):1.200输出电流典型值(A):0.300极性:正压差典型值(V):0.20@0.3A输入电压最大值(V):6.500封装/温度(°C):S

产品型号:BZX84C12LT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):11.400齐纳击穿电压Vz典型值(V):12齐纳击穿电压Vz最大值(V):12.700@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):25最