MURA105T3G的技术参数

产品型号:EMC3DXV5T1G类型:PNP/NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10K/10KR2(Ω):10K/

产品型号:BC847BDW1T3G类型:NPN/NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):45集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):110直流电流增益hF

产品型号:BAT54CXV3T1G最小反向电压VR(V):30最大二极管电容CT@V(Max)( pF):10最大二极管电容CT@VV:1正向电压VF最大值(V):0.400最大反向漏电流IR (Ma

产品型号:MMSZ5V1T3G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.850齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.360@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):60最大

产品型号:BC856BDW1T3G类型:双PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):65集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):220直流电流增益hFE最大

产品型号:NCP1117ST33T3G输出电压典型值(V):3.300输出电流典型值(A):1极性:正压差典型值(V):1.07/0.8A输入电压最大值(V):20封装/温度(°C):SOT-223/

产品型号:MMSZ4V3T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.090齐纳击穿电压Vz典型值(V):4.300齐纳击穿电压Vz最大值(V):4.520@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):90最大

产品型号:NCP1117ST15T3G输出电压典型值(V):1.500输出电流典型值(A):1极性:正压差典型值(V):1.07/0.8A输入电压最大值(V):20封装/温度(°C):SOT-223/

产品型号:NCV1117ST25T3G输出电压典型值(V):2.500输出电流典型值(A):1极性:正压差典型值(V):1.20@0.8A输入电压最大值(V):20封装/温度(°C):SOT-223/

产品型号:DTC143ZM3T5G类型:NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):4.7KR2(Ω):4.7K芯片上标识: