NTR1P02T1的技术参数

产品型号:NTR1P02T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):180最大漏极电流Id(on)(A):1通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-23 /-

产品型号:HN2D02FUTW1T1最小反向电压VR(V):80最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1.200最大二极管电容CT(pF

产品型号:MBT3906DW1T1类型:双PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大

产品型号:MC1403P1输出电压(V):2.500工作电流最小值(μA):1.200工作电压(V):4.5~40容限:±1%温度系数(ppm/°C):10封装/温度(°C):8PDIP/0~70描述

产品型号:NSB9435T1类型:PNP集电极-发射极电压(V):30集电极电流(max)(mA):3000直流电流增益(min)(dB):125R1(Ω):-R2(Ω):10K芯片上标识:-封装/温

产品型号:BF720T1类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):300集电极最大电流Ic(max)(mA):0.100直流电流增益hFE最小值(dB):50直流电流增益hFE最大值(dB