NTR1P02T1的技术参数

sivax59669 5 0 PDF 2020-12-13 16:12:16

产品型号:NTR1P02T1源漏极间雪崩电压VBR(V):-20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):148@-10V最大漏极电流Id(on)(A):-1通道极性:P沟道封装/温度(°C):SOT-23/-55~150描述:12A,60V逻辑电平的功率MOSFET价格/1片(套):¥1.20

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产品型号:MUN2111T1G类型:PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10KR2(Ω):10K芯片上标识:-封装/

产品型号:NTGS3455T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):100最大漏极电流Id(on)(A):3.500通道极性:P沟道封装/温度(°C):TSOP

产品型号:MMSZ13T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):12.350齐纳击穿电压Vz典型值(V):13齐纳击穿电压Vz最大值(V):13.650@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):30最大功率

产品型号:SM05T1G雪崩电压VBRmin(V):6.200雪崩电压VBRnom(V):6.750雪崩电压VBRmax(V):7.300IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):1峰值反向工作电压

产品型号:MMSZ56T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):53.200齐纳击穿电压Vz典型值(V):56齐纳击穿电压Vz最大值(V):58.800@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):200最大功

产品型号:MUN5214T1G类型:NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):80R1(Ω):10KR2(Ω):47K芯片上标识:8D封装

产品型号:MMSZ33T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):31.350齐纳击穿电压Vz典型值(V):33齐纳击穿电压Vz最大值(V):34.650@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):80最大功率

产品型号:BAT54T1G最小反向电压VR(V):30最大二极管电容CT@V(Max)( pF):10最大二极管电容CT@VV:1正向电压VF最大值(V):0.400最大反向漏电流IR (Max)(

产品型号:MMSZ4690T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.320齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.600齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.880@Izt(mA):0.050齐纳阻抗Zzt(Ω)

产品型号:MUN5211T1G类型:NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10KR2(Ω):10K芯片上标识:-封装/

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