BZG03C150G的技术参数

coosplax 6 0 PDF 2020-12-16 02:12:31

产品型号:BZG03C150G齐纳击穿电压Vz最小值(V):138齐纳击穿电压Vz典型值(V):150齐纳击穿电压Vz最大值(V):156@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):130最大功率PMax(W):600芯片标识:G150封装/温度(°C):SMA/-65~150价格/1片(套):¥1.20

推荐下载

MBR745G的技术参数

产品型号:MBR745G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):45平均整流器前向电流IO(max)(A):7.500瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.84@15A非重复峰值浪涌电流IFS

MBR1100G的技术参数

产品型号:MBR1100G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):100平均整流器前向电流IO(max)(A):1瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.79@1A非重复峰值浪涌电流IFSM(m

MJE15034G的技术参数

产品型号:MJE15034G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):350集电极最大电流IC(Max)(A):4直流电流增益hFE最小值(dB):10直流电流增益hFE最大值(dB):-

MCR1008G的技术参数

产品型号:MCR100-8G断态重复峰值电压VDRM,VRRM)(V):600平均通态电流IT(RMS)(A):0.800门触发电流IGT(Max)(mA):0.200门触发电压VGT(Max)(V)

MUR840G的技术参数

产品型号:MUR840G峰值反向电压VRRM(V):400最大平均正向电流IO(A):8最大全周期正向压降VF(V):1.300最大非重复浪涌电流IFSM(A):100最大反向电流IR(mA):0.5

MUR860G的技术参数

产品型号:MUR860G峰值反向电压VRRM(V):600最大平均正向电流IO(A):8最大全周期正向压降VF(V):1.500最大非重复浪涌电流IFSM(A):100最大反向电流IR(mA):0.5

MJ21193G的技术参数

产品型号:MJ21193G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):250集电极最大电流IC(Max)(A):16直流电流增益hFE最小值(dB):25直流电流增益hFE最大值(dB):7

TIP110G的技术参数

产品型号:TIP110G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):60集电极最大电流IC(Max)(A):2直流电流增益hFE最小值(dB):500直流电流增益hFE最大值(dB):-最小

MJE253G的技术参数

产品型号:MJE253G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):100集电极最大电流IC(Max)(A):5直流电流增益hFE最小值(dB):40直流电流增益hFE最大值(dB):120

NTD30551501G的技术参数

产品型号:NTD3055-150-1G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):150最大漏极电流Id(on)(A):9通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK

用户评论

请输入评论内容

评分：

暂无评论