MM5Z13VT1的技术参数

产品型号:BZX84C13LT1齐纳击穿电压Vz最小值(V):12.400齐纳击穿电压Vz典型值(V):13齐纳击穿电压Vz最大值(V):14.100@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):30最大

产品型号:MPSA13G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):30集电极最大电流Ic(max)(mA):500直流电流增益hFE最小值(dB):10000直流电流增益hFE最大值(dB

产品型号:BZX84C13LT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):12.400齐纳击穿电压Vz典型值(V):13齐纳击穿电压Vz最大值(V):14.100@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):30最

产品型号:CS5257A-1GDP5输出电压典型值(V):1.25~5输出电流典型值(A):7极性:正压差典型值(V):0.35@7A输入电压最大值(V):6封装/温度(°C):5D2PAK/0~15

产品型号:CS5257A-1GT5输出电压典型值(V):1.25~5输出电流典型值(A):7极性:正压差典型值(V):0.35@7A输入电压最大值(V):6封装/温度(°C):5TO220/0~150

产品型号:UMC5NT1G类型:NPN/PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):20R1(Ω):47KR2(Ω):-芯片上标识:-封装/

产品型号:MM908E625ACDWB工作电压(V):8~18Flash(字节):16KRAM(字节):512EEPROM(字节):-定时器:4×16bit IC,OC,或PWMI/O:13串行通讯:

产品型号:MM908E624ACDWB工作电压(V):5.5~18Flash(字节):16KRAM(字节):512EEPROM(字节):-定时器:4×16bit IC,OC,或PWMI/O:16串行通

产品型号:NTB13N10源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):-最大漏极电流Id(on)(A):13通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK/-55~1

产品型号:1.5SMC13AT3雪崩电压VBRmin(V):12.400雪崩电压VBRnom(V):13雪崩电压VBRmax(V):13.700IT(mA):1峰值反向工作电压VRWM(V):11.1