MM5Z16VT1的技术参数

产品型号:ESD5Z5.0T1G雪崩电压VBR Min.(V):6.200雪崩电压VBR Nom.(V):-雪崩电压VBR Max.(V):-IT(mA):1峰值反向工作电压VRWM(V):5最大反向

产品型号:ESD5Z3.3T1G雪崩电压VBR Min.(V):5雪崩电压VBR Nom.(V):-雪崩电压VBR Max.(V):-IT(mA):1峰值反向工作电压VRWM(V):3.300最大反向

产品型号:ESD5Z12T1G雪崩电压VBR Min.(V):14.100雪崩电压VBR Nom.(V):-雪崩电压VBR Max.(V):-IT(mA):1峰值反向工作电压VRWM(V):12最大反

产品型号:ESD5Z6.0T1G雪崩电压VBR Min.(V):6.800雪崩电压VBR Nom.(V):-雪崩电压VBR Max.(V):-IT(mA):1峰值反向工作电压VRWM(V):6最大反向

产品型号:MTD5P06VT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):450最大漏极电流Id(on)(A):5通道极性:P沟道封装/温度(°C):3DPAK/-6

产品型号:1PMT16AT3G雪崩电压VBRmin(V):17.800雪崩电压VBRnom(V):18.750雪崩电压VBRmax(V):19.700IT(mA):1峰值反向工作电压VRWM(V):1

产品型号:BAS16WT1G最小反向电压VR(V):75最大反向漏电流IR(?A):1正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1.250最大二极管电容CT(pF ):2反向恢复时

产品型号:BAS16HT1G最小反向电压VR(V):75最大反向漏电流IR(?A):1正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):2反向恢复时间trr

产品型号:1SMF16BT3峰值反向工作电压VRWM(V):16雪崩电压VBRmin(V):17.600IT(mA):1最大反向电压(钳位电压)Vc(V):26最大反向浪涌电流Ipp(A):-最大反向

产品型号:MMSZ16T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):15.200齐纳击穿电压Vz典型值(V):16齐纳击穿电压Vz最大值(V):16.800@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):40最大功率