MM3Z16VT1的技术参数
用户评论
推荐下载
-
1.5SMC16AT3的技术参数
产品型号:1.5SMC16AT3雪崩电压VBRmin(V):15.200雪崩电压VBRnom(V):16雪崩电压VBRmax(V):16.800IT(mA):1峰值反向工作电压VRWM(V):13.6
6 2020-12-13 -
BAS16WT1G的技术参数
产品型号:BAS16WT1G最小反向电压VR(V):75最大反向漏电流IR(?A):1正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1.250最大二极管电容CT(pF ):2反向恢复时
8 2020-12-13 -
BAS16HT1G的技术参数
产品型号:BAS16HT1G最小反向电压VR(V):75最大反向漏电流IR(?A):1正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):2反向恢复时间trr
5 2020-12-13 -
MMSZ16T1G的技术参数
产品型号:MMSZ16T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):15.200齐纳击穿电压Vz典型值(V):16齐纳击穿电压Vz最大值(V):16.800@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):40最大功率
2 2020-12-13 -
BAS16TT1G的技术参数
产品型号:BAS16TT1G最小反向电压VR(V):75最大反向漏电流IR(?A):1正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):2反向恢复时间trr
4 2020-12-13 -
BAS16LT1G的技术参数
产品型号:BAS16LT1G最小反向电压VR(V):75最大反向漏电流IR(?A):1正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):2反向恢复时间trr
4 2020-12-13 -
SS16T3G的技术参数
产品型号:SS16T3G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):60平均整流器前向电流IO(max)(A):1瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.51 @ 1.0A非重复峰值浪涌电流IFSM
6 2021-01-17 -
BZX84B16LT1的技术参数
产品型号:BZX84B16LT1齐纳击穿电压Vz最小值(V):15.700齐纳击穿电压Vz典型值(V):16齐纳击穿电压Vz最大值(V):16.300@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):40最大
3 2020-12-13 -
NL27WZ16DTT1的技术参数
产品型号:NL27WZ16DTT1封装/温度(°C):TSOP-6/-40~85描述:双缓冲器价格/1片(套):¥1.80
3 2020-12-13 -
1SMB120AT3的技术参数
产品型号:1SMB120AT3峰值反向工作电压VRWM(V):120雪崩电压VBRmin(V):133IT(mA):1最大反向电压(钳位电压)Vc(V):193最大反向浪涌电流Ipp(A):3.100
7 2020-12-17
暂无评论