MM5Z51VT1的技术参数

产品型号:1SMB51AT3峰值反向工作电压VRWM(V):51雪崩电压VBRmin(V):56.700IT(mA):1最大反向电压(钳位电压)Vc(V):82.400最大反向浪涌电流Ipp(A):7

产品型号:MMSZ51T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):48.450齐纳击穿电压Vz典型值(V):51齐纳击穿电压Vz最大值(V):53.550@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):180最大功

产品型号:CS5257A-1GDP5输出电压典型值(V):1.25~5输出电流典型值(A):7极性:正压差典型值(V):0.35@7A输入电压最大值(V):6封装/温度(°C):5D2PAK/0~15

产品型号:CS5257A-1GT5输出电压典型值(V):1.25~5输出电流典型值(A):7极性:正压差典型值(V):0.35@7A输入电压最大值(V):6封装/温度(°C):5TO220/0~150

产品型号:UMC5NT1G类型:NPN/PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):20R1(Ω):47KR2(Ω):-芯片上标识:-封装/

产品型号:MM908E625ACDWB工作电压(V):8~18Flash(字节):16KRAM(字节):512EEPROM(字节):-定时器:4×16bit IC,OC,或PWMI/O:13串行通讯:

产品型号:MM908E624ACDWB工作电压(V):5.5~18Flash(字节):16KRAM(字节):512EEPROM(字节):-定时器:4×16bit IC,OC,或PWMI/O:16串行通

产品型号:BUH51G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):500集电极最大持续电流IC(Max)(A):3直流电流增益hFE最小值(dB):8直流电流增益hFE最大值(dB):-最小

产品型号:MMSZ5V1ET1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.850齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.360@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):60最

产品型号:MMSZ5V1T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.850齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.360@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):60最大