MOSFET的开关轨迹线是判断MOSFET开关过程“软硬”程度的重要评估指标,MOSFET的软硬程度对于开关电源的性能、寿命、EMI水平都有至关重要的影响,本文介绍了一种简单实用的方法,利用泰克TDS3000系列示波器,可以实时做出MOSFET的开关轨迹线,为改善MOSFET的开关状态提供依据。 开关电源中的开关器件(本文以MOSFET为例)在任意时刻的损耗都可以用下式计算, 其中,ID为开关器件的电流,UDS为电压。一般地,我们希望开关器件工作在饱和或截止状态。为减小开关损耗,在器件开关的动态过程中,总希望ID和UDS在任意时刻都至少有一个值接近或等于零。开关轨迹线可以很好的体现出开关器件的