RFID技术中的飞思卡尔公司扩大了用于WiMAX基站的射频功率
晶体管的选择范围 无线基础设施业的首款LDMOS晶体管的目标是满足最高频率 达3.8 GHz的WiMAX的严格要求 采用其第七代高压(HV7)射频LDMOS技术,飞思卡尔半导体公司(FreescaleSemiconductor)(纽约证券交易所:FSL)(纽约证券交易所:FSL.B)已经实现了在3.5 GHz频带上运行的WiMAX基站所需的射频功率放大器性能。飞思卡尔公司的成功标志着制造商首次解决了射频外侧扩散金属氧化物半导体(RF Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,LDMOS)技术所遇的技术难题。
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