MBD330DWT1G的技术参数

产品型号:1SMB48AT3G峰值反向工作电压VRWM(V):48雪崩电压VBRmin(V):53.300IT(mA):1最大反向电压(钳位电压)Vc(V):77.400最大反向浪涌电流Ipp(A):

产品型号:TCA0372DP1G工作电压Min.(V):5.0,±2.5工作电压Max.(V):40,±20带宽GBW(典型值)(MHz):1.400转换速率(典型值)(V/us):1.400输入失调

产品型号:TCA0372BDP1G工作电压Min.(V):5.0,±2.5工作电压Max.(V):40,±20带宽GBW(典型值)(MHz):1.400转换速率(典型值)(V/us):1.400输入失

产品型号:MMSZ43T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):40.850齐纳击穿电压Vz典型值(V):43齐纳击穿电压Vz最大值(V):45.150@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):150最大功

产品型号:NTLJF4156NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):70最大漏极电流Id(on)(A):4通道极性:N沟道封装/温度(°C):DFN-6/-

产品型号:MBR130LSFT1G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):30平均整流器前向电流IO(max)(A):1瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.41@1A非重复峰值浪涌电流IFS

产品型号:MMSZ4684T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):3.130齐纳击穿电压Vz典型值(V):3.300齐纳击穿电压Vz最大值(V):3.470@Izt(mA):0.050齐纳阻抗Zzt(Ω)

产品型号:MMBZ5246BLT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):15.200齐纳击穿电压Vz典型值(V):16齐纳击穿电压Vz最大值(V):16.800@Izt(mA):7.800齐纳阻抗Zzt(Ω

产品型号:MMBZ5260BLT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):40.850齐纳击穿电压Vz典型值(V):43齐纳击穿电压Vz最大值(V):45.150@Izt(mA):3齐纳阻抗Zzt(Ω):93

产品型号:MUN2111T1G类型:PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10KR2(Ω):10K芯片上标识:-封装/