CYDM256B16 55BVXI的技术参数

产品型号:CYDM128B16-55BVXI类别:MoBL 双端口位密度:128K组织结构:8K x 16电压(V):1.8, 2.5, 3.0速度:55ns封装/温度(°C):100FBGA/-40

产品型号:CY7C1019CV33-12BVXI位密度:1M组织结构:128K x 8工作电压(V):3.300速度(ns):12封装/温度(°C):48VFBGA/-40~85价格/1片(套):暂无

产品型号:CY62167DV30LL-70BVXI位密度:16M组织结构:1024K x 16最大工作电流(mA):3mA @ 1MHz 15mA @ fmax最大静态电流(μA):8工作电压(V):

产品型号:MPSA55G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):60集电极最大电流Ic(max)(mA):500直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(dB):

产品型号:BZX84B16LT1齐纳击穿电压Vz最小值(V):15.700齐纳击穿电压Vz典型值(V):16齐纳击穿电压Vz最大值(V):16.300@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):40最大

产品型号:24AA256-I/ST接口方式:I2C最大擦写次数:1M位密度:256K结构:x8写速度(ms):10最大时钟频率(Hz):400K工作电压(V):1.8~5.5封装/温度(°C):TSS

产品型号:1.5KE16AJEDEC(电子器件工程联合会)型号:1N6276A雪崩电压VBR(V):16峰值反向工作电压VRWM(V):1最大反向漏电流IR(uA):13.600最大反向浪涌电流IRS

产品型号:NBSG16MNG输入时钟:ECL/PECL,HSTL,GTL,TTL,CMOS,CML or LVDS输出时钟:RSECL电压(V):2.5/3.3输入通道数:1输出通道数:1频率(typ

产品型号:CY62256LL-55SNI位密度:256K组织结构:32K x 8最大工作电流(mA):50最大静态电流(μA):10工作电压(V):4.5~5.5速度(ns):55封装/温度(°C):

产品型号:CY4611B支持器件:CY7C68013/4/5/6A描述:面向USB2.0海量存储应用的参考设计套件,采用Cypress的EZ-USB?FX2TM控制器来提供一种支持各种存储媒介及应用U