MMBZ6V2ALT1的技术参数

产品型号:MM5Z5V6T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.490齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.600齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.730@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):40最大

产品型号:MM5Z6V8ST1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):6.400齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.800齐纳击穿电压Vz最大值(V):7.200@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):160

产品型号:MM5Z5V6ST1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.490齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.600齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.730@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):40最

产品型号:BZX84C5V6LT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.200齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.600齐纳击穿电压Vz最大值(V):6@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):40最大功

产品型号:NSDEMN11XV6T1最小反向电压VR(V):80最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):100mA最大二极管电容CT(pF

产品型号:NSDEMP11XV6T1最小反向电压VR(V):70最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):100mA最大二极管电容CT(pF

产品型号:NSBC114EDXV6T1类型:NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10R2(Ω):10芯片上标识:-封

产品型号:NSBA114EDXV6T1类型:PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10R2(Ω):10芯片上标识:-封

产品型号:NUP4301MR6T1雪崩电压VBRmin(V):70雪崩电压VBRnom(V):-雪崩电压VBRmax(V):-IT(mA):0.100最大反向漏电流IR(nA):2.500峰值反向工作

产品型号:NUP2301MW6T1雪崩电压VBRmin(V):70雪崩电压VBRnom(V):-雪崩电压VBRmax(V):-IT(mA):-最大反向漏电流IR(nA):0.100峰值反向工作电压VR