ISL1209IU10Z的技术参数

产品型号:MM3Z10VT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):9.400齐纳击穿电压Vz典型值(V):10齐纳击穿电压Vz最大值(V):10.600@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):160最大功

产品型号:MPSH10G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):25集电极最大电流Ic(max)(mA):-直流电流增益hFE最小值(dB):60直流电流增益hFE最大值(dB):-最小

产品型号:MAC212A10断态重复峰值电压VDRM(Max)(V):800反向重复峰值电压VRRM(Max)(V):800额定正向平均电流IF(Max)(A):12门极触发电流IGT(Max)(mA

产品型号:1.5KE10AJEDEC(电子器件工程联合会)型号:1N6271A雪崩电压VBR(V):10峰值反向工作电压VRWM(V):1最大反向漏电流IR(uA):8.550最大反向浪涌电流IRSM

产品型号:SN74ALS10AN封装/温度(°C):PDIP-14/0~70描述:三3输入与非门价格/1片(套):¥.95

产品型号:NTD12N10源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):130最大漏极电流Id(on)(A):12通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK/-55~

产品型号:NTB52N10源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):23最大漏极电流Id(on)(A):52通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK/-55~

产品型号:NTB13N10源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):-最大漏极电流Id(on)(A):13通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK/-55~1

产品型号:MAC15A10G断态重复峰值电压VDRM(Max)(V):800反向重复峰值电压VRRM(Max)(V):800额定正向平均电流IF(Max)(A):15门极触发电流IGT(Max)(mA

产品型号:NTP52N10源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):30最大漏极电流Id(on)(A):52通道极性:N沟道封装/温度(°C):TO-220AB/-