海力士半导体DRAM产品获得 ISi存储技术授权

海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元,来替代多个晶体管和电容器的组合,这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来,基本DRAM位单元实现了首次变革。海力士已经获得了抢先将Z-RAM引入DRAM市场的机会。为确保这项优势,两家公司已经投入相当大的工程资源共同开发该项目。 Z-RAM最初作为全球成本最低的嵌入式内存技术而应用于逻辑芯片,如移动芯片组、微处理器、 网络和其他消费应用。2005年12月AMD首次获得该项技术授权,将这项技术应用于微处理器设计。目前此次与Hynix的合作,使Z-RAM成为超