瑞萨科技(Renesas)宣布开发出一种具有45 nm(纳米)及以上工艺的微处理器和SoC(系统级芯片)器件低成本制造能力的超高性能晶体管技术。新技术利用瑞萨开发的专有混合结构--公司在2006年12月以前发布的一种先进技术--改善了CMIS晶体管的性能。 像以前的技术一样,新的半导体制造技术有一个采用氮化钛(TiN)金属栅极的P型晶体管,以及一个采用传统多晶硅栅极的N型晶体管。不过,新的P型晶体管采用两层栅极结构,而不是单层栅极,以更有效地控制门限电压。而且,新型混合结构利用应变硅制造技术来提升驱动电流能力。与以前的瑞萨混合结构相比,这些创新产品的性能大约提高了20%。重要的是,新型结构