STR710RZH6的技术参数

产品型号:M41T0M6SRAM (bit):64结构:×8接口:I2C工作电压 (V):2.0~5.5低压 检测:-看门狗:-报警:-频率输出:-电池切换电路:-封装/温度(°C):8SOIC/-4

产品型号:NSBC114EDXV6T1类型:NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10R2(Ω):10芯片上标识:-封

产品型号:NSBA114EDXV6T1类型:PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10R2(Ω):10芯片上标识:-封

产品型号:M41T81M6SRAM (bit):160结构:×8接口:I2C工作电压 (V):2.0~5.5低压 检测:-看门狗:√报警:√频率输出:√电池切换电路:√封装/温度(°C):8SOIC/

产品型号:M41T81MX6SRAM (bit):160结构:×8接口:I2C工作电压 (V):2.0~5.5低压 检测:-看门狗:√报警:√频率输出:√电池切换电路:√封装/温度(°C):28SOI

产品型号:P6SMB56AT3G峰值反向工作电压VRWM(V):47.800雪崩电压VBRmin(V):53.200IT(mA):1最大反向电压(钳位电压)Vc(V):77最大反向浪涌电流Ipp(A)

产品型号:P6SMB36AT3G峰值反向工作电压VRWM(V):30.800雪崩电压VBRmin(V):36IT(mA):1最大反向电压(钳位电压)Vc(V):49.900最大反向浪涌电流Ipp(A)

产品型号:P6SMB51AT3G峰值反向工作电压VRWM(V):43.600雪崩电压VBRmin(V):51IT(mA):1最大反向电压(钳位电压)Vc(V):70.100最大反向浪涌电流Ipp(A)

产品型号:M25P40-VMN6位密度:4M结构:×8扇区(BYTE):512K页(BYTE):256接口:SPI工作电压(V):2.7~3.6静态电流(uA):10时钟速率:40M页写/扇区擦除周期

产品型号:M25P80-VMW6位密度:8M结构:×8扇区(BYTE):65536页(BYTE):256接口:SPI工作电压(V):2.7~3.6静态电流(uA):10时钟速率:40MHz页写/扇区擦