摘要:介绍铁电存储器(FRAM)的一般要领和基本原理,详细分析其读写操作过程及时序。将FRAM与其它存储器进行比较,分析在不同场合中各自的优缺点。最后以FM1808为例说明并行FPGA与8051系列单片机的实际接口,着重分析与使用一般SRAM的不同之处。 关键词:铁电存储器 FRAM原理 8051 存储技术 1 背景 铁电存储技术最在1921年提出,直到1993年美国Ramtron国际公司成功开发出第一个4Kb的铁电存储器FRAM产品,目前所有的FRAM产品均由Ramtron公司制造或授权。最近几年,FRAM又有新的发展,采用了0.35μm工艺,推出了3V产品,开发出“单管单容”存储单