摘要:在对离子敏场效应晶体管(ISFET)基本结构及电学特性分析的基础上,提出了一种基于CMOS技术实现ISFET与信号处理电路集成化的设计方法。模拟仿真的结果表明,所采用的ISFET/MOSFET“互补对”结构的信号读取电路形式能够抑制“温漂”和克服“硅衬底体效应”对器件测量灵敏度的影响,是一种适用于ISFET集成设计的信号读取方式。关键词:离子敏场效应晶体管;CMOS工艺;自对准;体效应中图分类号:TP212.6 文献标识码:A 文章编号:1003-353X(2004)12-0056-04A Integrated pH-ISFET Sensor With CMOS TechnologyYA