杂质原子穿越硅结构的热扩散方式和载流子扩散的方式非常相似(节1.1.3)。由于较重的杂质原子和晶体结构结合的更牢固,所以为了获得适当的扩散率需要800°C到1250°C的高温。一旦杂质进入预期的节深度,wafer就要冷却下来,杂质原子也被固定到晶体结构中。用这种方法形成的掺杂区域叫做diffusion。 通常制作一个diffusion包括两个步骤:首先是沉积(或预沉积),然后是drive(或drive-in)。沉积指加热wafer,让它和外部的杂质原子源接触。其中的一些从源扩散到硅wafer的表面形成一浅层重掺杂区。然后移开外部杂质源,wafer被加热到一个更高的温度并保持一段时间。在沉积过程