MC33063AP1G的技术参数

产品型号:MC33342DR2G供电电压范围(V):3.25~18可充电池节数:1化学特性:NiCd/NiMh典型工作电流(μA):650封装/温度(°C):8SOIC/-20~85描述:快速充电控制

产品型号:MC33039DR2G工作电压(V):5.5~6.25封装/温度(°C):SOIC-8/-40~85功能:与MC33035配合使用描述:闭环无刷电机适配器价格/1片(套):暂无

产品型号:MC33172DR2G工作电压Min.(V):3.0,±1.5工作电压Max.(V):44,±22带宽GBW(典型值)(MHz):1.800转换速率(典型值)(V/us):2.100输入失调

产品型号:MC33274ADR2G工作电压Min.(V):3.0,±1.5工作电压Max.(V):36,±18带宽GBW(典型值)(MHz):24转换速率(典型值)(V/us):10输入失调电压(25

产品型号:MC33151DR2G工作电压最小值(V):6.500工作电压最大值(V):18输出通道:2驱动器配置:反相输出峰值电流(A):1.500上升时间(ns):100下降时间(ns):100封装

产品型号:MC33164P-3G工作电压(V):1.0~10复位门限(V):2.71(VIN增加) 2.65(VIN减少)门限滞后(mV):60低电平复位:√高电平复位:-工作电流典型值(uA):24

产品型号:MC33164P-5G工作电压(V):1.0~10复位门限(V):2.71(VIN增加) 2.65(VIN减少)门限滞后(mV):25低电平复位:√高电平复位:-工作电流典型值(uA):24

产品型号:MC33064D-5G工作电压(V):1.0~6.5复位门限(V):4.600门限滞后(mV):20低电平复位:√高电平复位:-工作电流典型值(uA):390封装/温度(°C):8SOIC/

产品型号:MC33164D-3G工作电压(V):1.0~10复位门限(V):2.71(VIN增加) 2.65(VIN减少)门限滞后(mV):60低电平复位:√高电平复位:-工作电流典型值(uA):24

产品型号:MC34064D-005G工作电压(V):1.0~6.5复位门限(V):4.600门限滞后(mV):20低电平复位:√高电平复位:-工作电流典型值(uA):390封装/温度(°C):8SOI