(1.四川大学物理科学与技术学院,成都 610064;2.中国科学院微电子研究所,北京 100029)摘 要:对InP基PHEMT的源漏欧姆接触低温合金化工艺进行了研究,与常规的合金工艺不同,通过在低温下进行合金化,并采用金属面倒置和快速热退火的办法,制成了比接触电阻为1.26×10 -3W·cm2形貌良好的欧姆接触。避免了PHEMT各层化合物半导体之间的相互作用和分解,以及能带结构变化引起的二维电子气退化,也大大减弱了高温带来的肖特基势垒层中的杂质元素往沟道内扩散引起二维电子气迁移率下降的问题。 关键词:磷化铟;赝配超晶格高电子迁移率晶体管;低温合金;欧姆接触 中图分类号:TN305.93