BAW56WT1G的技术参数

产品型号:NLAS4684FCT1G工作电压(V):1.8~5.5导通电阻(Ω):0.500功能:2SPDT封装/温度(°C):10 PIN FLIP-CHIP/-55~125描述:0.5Ω双SPDT

产品型号:SL05T1G雪崩电压VBR Min.(V):6雪崩电压VBR Nom.(V):-雪崩电压VBR Max.(V):8IT(mA):1峰值反向工作电压VRWM(V):5最大反向漏电流IR(uA

产品型号:UC3842BD1G工作电压(V):7.6~30输出电压/电流(V/A):13.5/1.0振荡频率(Hz):500K(Max.)输出方式:电流模式封装/温度(°C):SOIC8/0~70描述

产品型号:BAV199LT1G最小反向电压VR(V):70最大反向漏电流IR(?A):0.005正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):0.900最大二极管电容CT(pF ):2

产品型号:BAV70TT1G最小反向电压VR(V):70最大反向漏电流IR(?A):5正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):1.500反向恢复时

产品型号:BAV99RWT1G最小反向电压VR(V):70最大反向漏电流IR(?A):2.500正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):1.500

产品型号:BAV74LT1G最小反向电压VR(V):50最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):2反向恢复时

产品型号:BAV70LT1G最小反向电压VR(V):70最大反向漏电流IR(?A):5正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):1.500反向恢复时

产品型号:BAV99LT1G最小反向电压VR(V):70最大反向漏电流IR(?A):2.500正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1最大二极管电容CT(pF ):1.500反

产品型号:BCP56-10T1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):80集电极最大电流Ic(max)(mA):1000直流电流增益hFE最小值(dB):63直流电流增益hFE最大值(