最近主要的半导体制造商承认:研发和生产先进的IC芯片非常需要晶圆级的射频(RF)测试。在一定程度上,这公然与2003年ITRS技术工作组对于建模与仿真的建议不符,该建议表明:"对于RF精简模型的参数提取,更应该尽力压缩RF测试。 如果需要,应该通过支持仿真的标准I-V和C-V测试来提取这些参数。"问题之一是对于超薄介质,由于存在大的漏电和非线性,通过标准I-V和C-V测试不能直接提取氧化层电容(Cox)。然而,使用高频电路模型则能够精确提取这些参数。随着业界迈向65nm及以下的节点,对于高性能/低成本数字电路,RF电路,以及模拟/数模混合电路中的器件,这方面的挑战也在增加。 减少使用RF技术的