陈蒲生1,陈闽捷2 ,张昊31.华南理工大学应用物理系, 广东 广州 510640;2.华南理工大学机电工程系,广东 广州 510640;3.中电科集团电子第五研究所, 广东 广州 510610)摘要:采用雪崩热电子注入技术研究了纳米级SiOxNy薄膜界面陷阱特性。证实了PECVD SiOxNy薄膜中界面陷阱来源于悬挂键的物理模型。观察到该纳米膜内存在着受主型电子陷阱,随着注入的增长,界面上产生的这种陷阱将起主导作用。发现到界面陷阱密度随雪崩热电子注入剂量增加而增大,禁带上半部增大得较下半部显著。指出了雪崩注入过程中在SiO xNy界面上产生两种性质不同的电子陷阱,并给出它们在禁带中的位置与密