2SC5658M3T5G的技术参数

产品型号:MM3Z8V2T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):7.700齐纳击穿电压Vz典型值(V):8.200齐纳击穿电压Vz最大值(V):8.700@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):15最大

产品型号:MM3Z6V2T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.800齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.200齐纳击穿电压Vz最大值(V):6.600@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):10最大

产品型号:PSCD0403T-3R3M-S电感量(μH):3.300精度(±%):20最大直流电阻(Ω):0.060饱和电流Isat(A):-最小工作电流Irms(A):2.150价格/1片(套):¥

产品型号:PSDS0804T-3R3M-S电感量(μH):3.300精度(±%):20最大直流电阻(Ω):0.040饱和电流Isat(A):3.900最小工作电流Irms(A):3.300价格/1片(

产品型号:PSDS0804T-2R2M-S电感量(μH):2.200精度(±%):20最大直流电阻(Ω):0.030饱和电流Isat(A):5最小工作电流Irms(A):3.800价格/1片(套):¥

产品型号:PSCD0403T-2R2M-S电感量(μH):2.200精度(±%):20最大直流电阻(Ω):0.050饱和电流Isat(A):-最小工作电流Irms(A):2.600价格/1片(套):¥

产品型号:EMF23XV6T5G类型:NPN/PNP集电极-发射极电压(V):60集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10KR2(Ω):10K芯片上标识

产品型号:NSDEMN11XV6T5G最小反向电压VR(V):80最大反向漏电流IR(?A):0.100正向恢复电压VF最小值(V):-正向恢复电压VF最大值(V):1.200最大二极管电容CT(pF

产品型号:NSBC143TDXV6T5G类型:NPN/NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):160R1(Ω):4.7KR2(Ω):∞芯

产品型号:MMQA5V6T1G雪崩电压VBRmin(V):5.320雪崩电压VBRnom(V):5.600雪崩电压VBRmax(V):5.880IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):2000峰值