MM5Z7V5T1G的技术参数

产品型号:NUP412VP5T5G最大雪崩电压VBR(V):12.700反向工作电压VRWM(V):9反向漏电流IR(nA):1000箝位电压VC(V):-封装/温度(°C):SOT-953/-55~

产品型号:BZX84C7V5LT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):7齐纳击穿电压Vz典型值(V):7.500齐纳击穿电压Vz最大值(V):7.900@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):15最大功

产品型号:BZX84B7V5LT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):7.350齐纳击穿电压Vz典型值(V):7.500齐纳击穿电压Vz最大值(V):7.650@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):1

产品型号:LM2575T-5G输出电压(V):5类型:降压型输入电压最小值(V):8开关电流最大值(A):1开关频率(kHz):52封装/温度(°C):TO-220/-40~125描述:1A,5V输出

产品型号:MMBZ5V6ALT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.320齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.600齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.880@Izt(mA):20描述:表面安装双齐纳二极

产品型号:NZL5V6ATT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.300齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.600齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.900@Izt(mA):1描述:双齐纳二极管,共阳封装

产品型号:UMC5NT1G类型:NPN/PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):20R1(Ω):47KR2(Ω):-芯片上标识:-封装/

产品型号:NZQA6V2XV5T1雪崩电压VBRmin(V):5.890雪崩电压VBRnom(V):6.200雪崩电压VBRmax(V):6.510IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):500峰

产品型号:NZQA6V8XV5T1雪崩电压VBRmin(V):6.400雪崩电压VBRnom(V):6.800雪崩电压VBRmax(V):7.100IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):1000

产品型号:NZQA6V8AXV5T1雪崩电压VBRmin(V):6.100雪崩电压VBRnom(V):6.800雪崩电压VBRmax(V):7.200IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):1峰值