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光刻工艺中的金属剥离技术.刻蚀工艺：利用化学或者物理方法，将抗蚀剂薄层未屏蔽的晶片表面或介质 层除去，从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。集成电路 各功能层是立体重叠的，因而光

半导体行业存在周期性,主要受两个因素影响,宏观经济和技术革新。1)宏观经济变化影响人们消费能力和意愿,通过下游市场需求影响整个行业景气 度;2)技术革新通过刺激下游消费意愿甚至强制改变市场格局。以20

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建筑铝合金模板系统及工艺介绍

COB也称IC软封装技术,裸芯片封装或邦定(Bonding)。芯片粘贴(Die Bond,DB)也称为芯片黏结或固晶Flip Chip(倒装芯片)。引线键合(Wire Bond,WB)也称为引线互联邦

光刻蚀是目前的CPU制造过程当中工艺非常复杂的一个步骤,为什么这么说呢?光刻蚀过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕,由此改变该处材料的化学特性。这项技术对于所用光的波长要求极为严格,刻蚀过

提出一种利用基于数字微反射镜装置(DMD)的数字光刻系统制作掩模版的方法。通过制图软件制作出二元光栅、菲涅耳波带片等衍射光学元件的掩模图,将这些图形导入数字光刻机,利用DMD系统的空间光调制特性,经精

本章中将介绍从显影到最终检验所使用的基本方法.还涉及掩膜版工艺的使用和定位错误的讨论.详细的介绍了光刻工艺的制造技术