MM3Z9V1T1G的技术参数

产品型号:BZX84C9V1LT1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):8.500齐纳击穿电压Vz典型值(V):9.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):9.600@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):1

产品型号:NUP1301ML3T1G最大雪崩电压VBR(V):70(min)反向工作电压VRWM(V):2.500反向漏电流IR(nA):-箝位电压VC(V):-封装/温度(°C):SOT-23/-5

产品型号:MBT3904DW1T3G类型:双NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最

产品型号:EMC3DXV5T1G类型:PNP/NPN集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):35R1(Ω):10K/10KR2(Ω):10K/

产品型号:BC847BDW1T3G类型:NPN/NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):45集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):110直流电流增益hF

产品型号:BAT54CXV3T1G最小反向电压VR(V):30最大二极管电容CT@V(Max)( pF):10最大二极管电容CT@VV:1正向电压VF最大值(V):0.400最大反向漏电流IR (Ma

产品型号:BC856BDW1T3G类型:双PNP集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):65集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):220直流电流增益hFE最大

产品型号:MMQA6V8T1G雪崩电压VBRmin(V):6.460雪崩电压VBRnom(V):6.800雪崩电压VBRmax(V):7.140IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):100峰值反

产品型号:MMSZ6V8T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):6.460齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.800齐纳击穿电压Vz最大值(V):7.140@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):15最大

产品型号:MMQA5V6T1G雪崩电压VBRmin(V):5.320雪崩电压VBRnom(V):5.600雪崩电压VBRmax(V):5.880IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):2000峰值