MM5Z62VT1的技术参数

产品型号:1.5SMC62AT3雪崩电压VBRmin(V):58.900雪崩电压VBRnom(V):62雪崩电压VBRmax(V):65.100IT(mA):1峰值反向工作电压VRWM(V):53最大

产品型号:CS5257A-1GDP5输出电压典型值(V):1.25~5输出电流典型值(A):7极性:正压差典型值(V):0.35@7A输入电压最大值(V):6封装/温度(°C):5D2PAK/0~15

产品型号:CS5257A-1GT5输出电压典型值(V):1.25~5输出电流典型值(A):7极性:正压差典型值(V):0.35@7A输入电压最大值(V):6封装/温度(°C):5TO220/0~150

产品型号:UMC5NT1G类型:NPN/PNP集电极-发射极电压(V):50集电极电流(max)(mA):100直流电流增益(min)(dB):20R1(Ω):47KR2(Ω):-芯片上标识:-封装/

产品型号:MM908E625ACDWB工作电压(V):8~18Flash(字节):16KRAM(字节):512EEPROM(字节):-定时器:4×16bit IC,OC,或PWMI/O:13串行通讯:

产品型号:MM908E624ACDWB工作电压(V):5.5~18Flash(字节):16KRAM(字节):512EEPROM(字节):-定时器:4×16bit IC,OC,或PWMI/O:16串行通

产品型号:MMSZ5V1ET1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.850齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.360@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):60最

产品型号:MMSZ5V1T1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.850齐纳击穿电压Vz典型值(V):5.100齐纳击穿电压Vz最大值(V):5.360@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):60最大

产品型号:MTB30P06VT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):67最大漏极电流Id(on)(A):30通道极性:P沟道封装/温度(°C):3D2PAK/

产品型号:CS5253B-1GDP5输出电压典型值(V):1.25~5输出电流典型值(A):3极性:正压差典型值(V):0.4@3A输入电压最大值(V):6封装/温度(°C):5D2PAK/0~150