采用0.25 μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺设计了一款X波段六位数字移相器,移相器采用高低通和全通网络结构,通过控制不同移相单元的状态从而形成64种移相状态。运用了提高相移精度和抑制级联散射的方法,6个移相单元按照180°/45°/11.25°/5.625°/22.5°/90°的顺序级联。在8~10 GHz频率范围内,数字移相器的64种状态的相位均方根误差小于1.6°,各态幅度均衡度小于0.7 dB,插入损耗低于5.5 dB,输入输出端口的回波损耗均优于15 dB。除此之外,芯片尺寸为2.2 mm×0.7 mm,可广泛用于相控阵雷达与电子对抗等系统。