相比用于制备晶体材料的化学气相输运(Chemical Vapor Transport, CVT)方法,近空间气相输运沉积(Close-spaced Vapor Transport Deposition, CSVT)及气相输运沉积(Vapor Transport Deposition, VTD)方法不为人们所熟知。近几年来,气相输运沉积逐渐应用于锑基薄膜(Sb2Se3、Sb2S3及Sb2(Se,S) 3)、锡基薄膜(SnS、SnS2)及铋基薄膜(Bi2Se3、Bi2Te3)等材料的制备,有可能成为一种重要的材料制备方法。本文综述了气相输运沉积用于化合物薄膜制备 的研究进展,对其特点进行分析,并