反应等离子体修饰熔石英光学元件表面研究

反应等离子体去除表面2.5 μm后,元件表面面形保持平整光滑,大尺度均方根粗糙度小于1.45 nm(测量范围为0.9 mm×1.2 mm),表面Fe,Ce等杂质元素含量逐渐减少,划痕等物理缺陷的密度与尺寸变小。修饰之后的非晶熔石英元件表面出现具有周期性的多晶结构,该多晶结构可增强元件透射率,有效抑制损伤增长,提高元件损伤阈值。随修饰深度增加,元件的损伤概率进一步下降。研究表明通过提高等离子体密度、加大激励源功率等方法改进工艺路线,反应等离子体修饰有望实现熔石英元件的快速、无损、大面积和批量化处理。