针对PF-CSTBT结构中,CS层与P浮层对导通压降与击穿电压的影响有着矛盾关系这一问题,本文通过运用Silvaco TCAD软件的Athena及Atlas,保证CS层中离子注入的掺杂总量一定,采用高斯分布与线性和均匀分布,在击穿电压几乎不变的情况下,其导通压降分别下降15.3%与8%。针对CSTBT结构中,沟槽栅底部倒角处,电场分布集中,易击穿这一问题,本文亦从CS层的载流子浓度大小、P浮层的掺杂峰值浓度位置,P浮层PN结深等方面,降低导通压降,并提高击穿电压。仿真结果表明,在PF-CSTBT结构中,CS层高斯分布是最佳分布形式;增加CS层高斯分布峰值浓度可以有效降低导通压降;P浮层