功率MOSFET寄生振荡的研究

 针对 MOSFET易产生寄生振荡的问题,在分析振荡与驱动电路各参数之间关系的基础上,通过加入合适的驱动电阻来解决该振荡问题,从而保证MOSFET 能在高速应用场合的可靠运行。该方法具有实现简单、成本低廉、安全可靠的特点。经过1000W纯正弦波逆变器设计应用,实验波形表明驱动电路的合理性和有效性。