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对射频/微波通信应以而言,放大器主要完成两大任务,一是增强接收机的低电平信号,一是提升发射机的高电平输出信号。虽然它们的功能、尺寸和功率要求不尽相同,但这两种放大器都受益于晶体管技术的持续改进。
低噪声放大器的设计制作与调试的实例，有实际的设计步骤讲解
这些年来,微波接收机随着微波技术的进步也在飞快地发展。而接收机射频前端的设计 常常影响着整个系统的非线性指标、噪声系数、稳定度、灵敏度、增益等重要特征。所以, 对接收机射频前端系统的研究有着重要的现实
低噪声放大器的仿真设计，郭欢，，首先介绍了低噪声放大器的设计理论和方法，然后详细阐述了利用ADS进行仿真和设计的步骤。对成品的实际测量结果表明，此低噪声放大
摘 要:该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和
低噪声放大器在射频前端中具有不可或缺的重要作用,通过过滤噪声并增强微波信号,减少对系统的噪声干扰,为下后级射频信号处理模块提供完整、可靠的电信号。文中针对射频模块的系统要求进行低噪声放大器的设计研究,
超宽带系统(UWB ) 由于频率宽( 3. 1 ~10. 6GHz)、传输数据率高和抗干扰能力强等优点近年来受到极大关注。随着微电子加工工艺技术的提高,CMOS的工作频率已经到微波毫米波频段,使采用高
针对通信系统对S波段低噪声放大器的需求,基于0.25 μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款2~4 GHz微波单片集成电路低噪声放大器(MMIC LNA)。该放大器采用两级级联的拓扑结构,第一级放
关于BJT的噪声模型分析、输入匹配、以及主抗匹配的知识
2.0～4.0GHz低噪声放大器
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