研究了基材热处理态和激光扫描速率对多道沉积DD5单晶高温合金沉积道内的杂晶(SGs)形核位置及数量的影响, 探讨了不同条件下杂晶的形成机理。结果表明, 当激光扫描速由5 mm/s增大到20 mm/s时, 沉积道顶部的柱状晶-等轴晶转变(CET)导致杂晶数目减少; 采用固溶方式处理基材时, 沉积道底部杂晶的尺寸和数量较铸态基材的明显减小; 沉积道之间的相互搭接不会产生新的杂晶;当采用固溶态基材、激光扫描速率为20 mm/s时, 基本可以得到无杂晶的多沉积道搭接界面。