超薄晶硅太阳电池的吸收损耗

利用频域有限差分法,分析了两种典型晶硅电池结构的Ag背反镜的吸收损耗。研究表明:平板型晶硅电池Ag背反镜的损耗主要是由本征吸收和导模共振吸收引起,而表面等离子体共振吸收使TM模的吸收峰峰值大于TE模的吸收峰峰值;织构型的晶硅电池内部光场分布复杂,可在光垂直入射情况下,使TE模和TM模均在有源层中出现较强的导模共振效应,且TM模还可在Ag背反镜中激励起等离子体共振效应,从而使织构型晶硅电池Ag背反镜的吸收谱表现为多峰值特性,且其吸收峰峰值大于平板型晶硅电池的吸收峰峰值。