632.8 nm磁起偏He Ne激光器研制成功

据日本电气公司透露,该公司所属的中心研究室已于1970年10月中旬制成室温连续运转的双异结半导体激光器。目前输出功率约为几十毫瓦,估计将来可以达到100毫瓦。效率在到2%之间,但有可能增加一个数量级。

该规格指南描述了用于光纤传感系统的1550nm激光器的技术特性和操作参数。它提供了全面信息，帮助您了解激光器在光纤传感应用中的性能和功能。

三台低功率He-Ne激光器是测量火箭排气流和飞机气体涡轮机中气流密度波动系统的组成部分。这些系统中气流密度波动往往不理想,难以用数学模型模拟。此外,这种气流也是有害的,由于太热和速度过快往往不能用传统

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在某些应用方面,重新设计的氦-镉激光器系统可能成为氦-氖激光器的新的劲敌。据美帝无线电公司研究人员说,与现在的氦-镉激光器相比,采用同轴结构及连续金属蒸汽流可延长寿命,降低价格与噪声。使金属蒸汽通过扩

描述了He-Se激光器的结构与性能。作了He-Se、He-Ne、He-Cd和He-Zn激光器性能的比较。

The necessary conditions under wich saturated absorption of molecules inside the cavity could be use

模牵引效应对双频He-Ne激光器拍频稳定性的影响pdf,模牵引效应对双频He-Ne激光器拍频稳定性的影响

报道了一种紧凑型930 nm被动锁模掺钕全光纤激光器, 该激光器由掺钕全光纤振荡器和一级掺钕全光纤放大器构成。振荡器采用线型腔结构, 增益介质为长度8 cm的高掺杂掺钕石英光纤, 抽运源为一个最大功率