提出了一种用一对金属平板电容器和4根半埋入绝缘介质的杆电极组成的用于囚禁处于弱场搜寻态的冷极性分子的静电表面阱方案。用有限元软件计算了单阱囚禁时的空间电场分布, 发现芯片表面上方2.2 mm左右形成了一个三维封闭的静电阱。选用重氨(ND3)分子作为测试分子, 用经典的蒙特卡罗方法模拟了ND3分子被装载和囚禁的动力学过程。模拟结果表明, 当ND3分子束中心速度为13 m/s、装载时刻为0.576 ms时, 最大装载效率可达53%, 被囚禁的冷极性分子的温度约为35 mK; 如果继续增大平板电极的电压, 则原先的单阱将对称分裂为两个阱, 两个阱中的分子数目比为1∶1; 通过改变中间两个杆电极的电压