对准位相匹配砷化镓(GaAs)晶体扩散键合制备方法进行了研究。采用超高真空预键合-高温退火方法,在不同载荷压力条件下,完成了三组准位相匹配GaAs倍频晶体的制备。准位相匹配结构的极化周期长度为219 μm,堆叠层数44层,直径18 mm,有效通光孔径达到15 mm,在通光面未镀膜条件下,最高的基频光与倍频光透射率在30%以上。以主脉冲宽度90 ns,拖尾宽度2~6 μs的横向激励大气压(TEA)-CO2激光器作为基频光光源,通过调谐基频光波长,在4.63~5.37 μm波段内得到了效率大于4%的倍频输出。当基频光波长为10.68 μm,主脉冲能量为409 mJ,晶体接收基频光功率密度达到3.6